Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии

Ученые смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии
Ученые из лаборатории при Центре НБИКС-технологий имени Курчатова смогли создать монокристаллические пленки EuO на кремнии, чтобы определить их магнитные, структурные и электронные физические свойства. Об этом написано в статье в журнале Journal of Materials Chemistry C.

Ранее усовершенствование микроэлектрических приборов осуществлялось в соответствии с законом Мура. Каждые два года ученые удваивали количество транзисторов, увеличивая и частоту. Но из-за миниатюризации элементов микросхем принципы работы установки на основе кремния переставали работать.
Закон Мура впервые перестал работать в 2003 году. Тогда транзисторы должны были показывать частоту 4 ГГц, а в 2007 – 10 ГГЦ. Однако до нынешнего времени они показывают частоту не более 3,2 ГГЦ.
В новом исследовании ученые решили преодолеть барьер с помощью соединения кремния и ферромагнитного полупроводника. В таком случае кристаллы вещества-полупроводника создаются на поверхности кристаллов кремния и образовываются новые спиновые контакты. Результаты работы дают возможность создавать новые спиновые транзисторы и инжекторы.



ПОДПИШИСЬ СЕЙЧАС НА Telegram Россия и Украина Новости: Спецоперация Z и будь в курсе новостей!
Оцени новость:




Также смотрите: 

Под Дамаском идут бои за район Вади Барада - Военный Обозреватель

Оговорка: Порошенко заявил о «временной украинской оккупации»